JSTが太陽電池用シリコンインゴット単結晶作成に成功
- 2016/9/12
- 太陽光
- 新エネルギー新聞2016年(平成28年)09月05日付

科学技術振興機構(JST)は8月9日、NOC法(Noncontact Crucible)という新たな製法により、現行の単結晶太陽電池と同等の特性や歩留まりのシリコン単結晶を、世界で初めてキャスト成長炉を用いて作製したと発表した。単結晶と多結晶の性能差と価格差を埋める可能性を秘めた新技術だ。 [画像・上:NOC法で作成したインゴット] 単結晶と多結晶の差埋めるか 単結晶シリコン太陽…

